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Guangdong Hottech SI2306
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2306 |
| Référence EBEE | E8181089 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 3.16A 750mW 47mΩ@10V,3.5A 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 20+ | $0.0313 | $ 0.6260 |
| 200+ | $0.0246 | $ 4.9200 |
| 600+ | $0.0210 | $ 12.6000 |
| 3000+ | $0.0177 | $ 53.1000 |
| 9000+ | $0.0158 | $ 142.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | Guangdong Hottech SI2306 | |
| RoHS | ||
| Type | - | |
| RDS(on) | 65mΩ@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 29pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 750mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.16A | |
| Ciss-Input Capacitance | 305pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 4.5nC@5V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0313 | $ 0.6260 |
| 200+ | $0.0246 | $ 4.9200 |
| 600+ | $0.0210 | $ 12.6000 |
| 3000+ | $0.0177 | $ 53.1000 |
| 9000+ | $0.0158 | $ 142.2000 |
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