| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GBS65060TOB |
| Référence EBEE | E87426973 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 36A 50mΩ@10V,16.4A 192W 4.5V@1mA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.4483 | $ 2.4483 |
| 10+ | $2.3244 | $ 23.2440 |
| 30+ | $2.2498 | $ 67.4940 |
| 100+ | $2.1768 | $ 217.6800 |
| 500+ | $2.1418 | $ 1070.9000 |
| 1000+ | $2.1260 | $ 2126.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | GOSEMICON GBS65060TOB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 55mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 192W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 90nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.4483 | $ 2.4483 |
| 10+ | $2.3244 | $ 23.2440 |
| 30+ | $2.2498 | $ 67.4940 |
| 100+ | $2.1768 | $ 217.6800 |
| 500+ | $2.1418 | $ 1070.9000 |
| 1000+ | $2.1260 | $ 2126.0000 |
