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GOSEMICON GBS65060TOA
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GBS65060TOA |
| Référence EBEE | E87426972 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 23A 50mΩ@10V,16.4A 192W 4.6V@1mA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | GOSEMICON GBS65060TOA | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 55mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 329W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 90nC |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 1+ | $3.4088 | $ 3.4088 |
| 10+ | $2.9139 | $ 29.1390 |
| 50+ | $2.6205 | $ 131.0250 |
| 100+ | $2.3239 | $ 232.3900 |
| 500+ | $2.1859 | $ 1092.9500 |
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