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GOSEMICON GBS032R4PMAR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GBS032R4PMAR |
| Référence EBEE | E828324646 |
| Boîtier | PDFN5x6-8L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | PDFN-8L(5x6) MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2475 | $ 0.2475 |
| 10+ | $0.2144 | $ 2.1440 |
| 30+ | $0.2002 | $ 6.0060 |
| 100+ | $0.1829 | $ 18.2900 |
| 500+ | $0.1750 | $ 87.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | GOSEMICON GBS032R4PMAR | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 2.5mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 100pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 1+ | $0.2475 | $ 0.2475 |
| 10+ | $0.2144 | $ 2.1440 |
| 30+ | $0.2002 | $ 6.0060 |
| 100+ | $0.1829 | $ 18.2900 |
| 500+ | $0.1750 | $ 87.5000 |
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