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GOODWORK IRF640
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF640 |
| Référence EBEE | E817702911 |
| Boîtier | TO-220-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 18A 0.125Ω@10V,11A 2W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
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| 10+ | $0.2737 | $ 2.7370 |
| 50+ | $0.2506 | $ 12.5300 |
| 100+ | $0.2091 | $ 20.9100 |
| 500+ | $0.1906 | $ 95.3000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | GOODWORK IRF640 | |
| RoHS | ||
| Type | - | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 180mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 400pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Guide d’achat
Développer
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| 1+ | $0.3505 | $ 0.3505 |
| 10+ | $0.2737 | $ 2.7370 |
| 50+ | $0.2506 | $ 12.5300 |
| 100+ | $0.2091 | $ 20.9100 |
| 500+ | $0.1906 | $ 95.3000 |
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