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GOODWORK 5N65
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 5N65 |
| Référence EBEE | E85807885 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 5A 36W 2.2Ω@10V,2.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1696 | $ 0.8480 |
| 50+ | $0.1339 | $ 6.6950 |
| 150+ | $0.1186 | $ 17.7900 |
| 500+ | $0.0996 | $ 49.8000 |
| 2500+ | $0.0876 | $ 219.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | GOODWORK 5N65 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 2.2Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.9pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 36W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 623pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@10V |
Guide d’achat
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| 50+ | $0.1339 | $ 6.6950 |
| 150+ | $0.1186 | $ 17.7900 |
| 500+ | $0.0996 | $ 49.8000 |
| 2500+ | $0.0876 | $ 219.0000 |
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