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GOODWORK 10N65F
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 10N65F |
| Référence EBEE | E82922157 |
| Boîtier | ITO-220AB-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 10A 810mΩ@10V,5A 125W 4V@250uA 1 N-channel ITO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3787 | $ 1.8935 |
| 50+ | $0.2815 | $ 14.0750 |
| 150+ | $0.2516 | $ 37.7400 |
| 500+ | $0.2129 | $ 106.4500 |
| 2000+ | $0.1958 | $ 391.6000 |
| 5000+ | $0.1844 | $ 922.0000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | GOODWORK 10N65F | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 1.2Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 24pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.04nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3787 | $ 1.8935 |
| 50+ | $0.2815 | $ 14.0750 |
| 150+ | $0.2516 | $ 37.7400 |
| 500+ | $0.2129 | $ 106.4500 |
| 2000+ | $0.1958 | $ 391.6000 |
| 5000+ | $0.1844 | $ 922.0000 |
