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GOFORD GT080N10K
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GT080N10K |
| Référence EBEE | E82840755 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 75A 10mΩ@4.5V,50A 100W 1V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | GOFORD GT080N10K | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| Drain to Source Voltage | 100V |
Guide d’achat
Développer
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