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GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | G3R20MT17K |
| Référence EBEE | E83281098 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.7kV 124A 26mΩ@15V,75A 809W 2.7V@15mA 1 N-channel TO-247-4 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $147.0086 | $ 147.0086 |
| 30+ | $141.0472 | $ 4231.4160 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1.7kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 124A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 26mΩ@15V,75A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 809W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.7V@15mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 10.187nF@1000V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 400nC@15V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $147.0086 | $ 147.0086 |
| 30+ | $141.0472 | $ 4231.4160 |
