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FUXINSEMI SI2310A
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2310A |
| Référence EBEE | E85380684 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 3A 1.2W 92mΩ@4.5V,2A 2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0386 | $ 0.7720 |
| 200+ | $0.0305 | $ 6.1000 |
| 600+ | $0.0265 | $ 15.9000 |
| 3000+ | $0.0235 | $ 70.5000 |
| 9000+ | $0.0211 | $ 189.9000 |
| 21000+ | $0.0198 | $ 415.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI SI2310A | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 100mΩ@10V;120mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 17pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 330pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.1nC@10V |
Guide d’achat
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| 20+ | $0.0386 | $ 0.7720 |
| 200+ | $0.0305 | $ 6.1000 |
| 600+ | $0.0265 | $ 15.9000 |
| 3000+ | $0.0235 | $ 70.5000 |
| 9000+ | $0.0211 | $ 189.9000 |
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