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FUXINSEMI SI2302
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2302 |
| Référence EBEE | E86807797 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 3A 35mΩ@4.5V,3A 400mW 1.2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0138 | $ 0.6900 |
| 500+ | $0.0108 | $ 5.4000 |
| 3000+ | $0.0091 | $ 27.3000 |
| 6000+ | $0.0082 | $ 49.2000 |
| 24000+ | $0.0073 | $ 175.2000 |
| 51000+ | $0.0069 | $ 351.9000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI SI2302 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 115mΩ@2.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 29pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 400mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 280pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 500+ | $0.0108 | $ 5.4000 |
| 3000+ | $0.0091 | $ 27.3000 |
| 6000+ | $0.0082 | $ 49.2000 |
| 24000+ | $0.0073 | $ 175.2000 |
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