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FUXINSEMI SI01P10
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI01P10 |
| Référence EBEE | E842387314 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | SOT-23 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0697 | $ 0.3485 |
| 50+ | $0.0560 | $ 2.8000 |
| 150+ | $0.0491 | $ 7.3650 |
| 500+ | $0.0440 | $ 22.0000 |
| 3000+ | $0.0356 | $ 106.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI SI01P10 | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 650mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 4nC@10V |
Guide d’achat
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| 50+ | $0.0560 | $ 2.8000 |
| 150+ | $0.0491 | $ 7.3650 |
| 500+ | $0.0440 | $ 22.0000 |
| 3000+ | $0.0356 | $ 106.8000 |
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