| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IHW20N135R5F |
| Référence EBEE | E87467022 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 333W 40A 1.35kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1800 | $ 2.1800 |
| 10+ | $1.8227 | $ 18.2270 |
| 30+ | $1.6274 | $ 48.8220 |
| 90+ | $1.4052 | $ 126.4680 |
| 510+ | $1.3067 | $ 666.4170 |
| 990+ | $1.2623 | $ 1249.6770 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI IHW20N135R5F | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.35kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 4.8V@1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 333W | |
| IGBT Type | - | |
| Gate Charge(Qg) | 175nC@15V | |
| Td(off) | 204ns | |
| Td(on) | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 57pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | - | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.02mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1.02mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.781nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 60A | |
| Output Capacitance(Coes) | 95pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1800 | $ 2.1800 |
| 10+ | $1.8227 | $ 18.2270 |
| 30+ | $1.6274 | $ 48.8220 |
| 90+ | $1.4052 | $ 126.4680 |
| 510+ | $1.3067 | $ 666.4170 |
| 990+ | $1.2623 | $ 1249.6770 |
