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FUXINSEMI IHW20N135R5F


Fabricant
Référence Fabricant
IHW20N135R5F
Référence EBEE
E87467022
Boîtier
TO-247-3
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
333W 40A 1.35kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$2.1800$ 2.1800
10+$1.8227$ 18.2270
30+$1.6274$ 48.8220
90+$1.4052$ 126.4680
510+$1.3067$ 666.4170
990+$1.2623$ 1249.6770
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT
Fiche TechniqueFUXINSEMI IHW20N135R5F
RoHS
Température de fonctionnement-40℃~+175℃
Tension de la rupture collector-émetteur (Vces)1.35kV
Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic)4.8V@1mA
Pd - Power Dissipation333W
IGBT Type-
Gate Charge(Qg)175nC@15V
Td(off)204ns
Td(on)-
Reverse Transfer Capacitance (Cres)57pF
Reverse Recovery Time(trr)-
Switching Energy(Eoff)1.02mJ
Turn-On Energy (Eon)1.02mJ
Input Capacitance(Cies)1.781nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)60A
Output Capacitance(Coes)95pF

Guide d’achat

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