10% off
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FDN337N |
| Référence EBEE | E82984752 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 2.2A 65mΩ@4.5V,2.2A 500mW 1.3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0482 | $ 0.4820 |
| 100+ | $0.0394 | $ 3.9400 |
| 300+ | $0.0351 | $ 10.5300 |
| 3000+ | $0.0266 | $ 79.8000 |
| 6000+ | $0.0240 | $ 144.0000 |
| 9000+ | $0.0227 | $ 204.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI FDN337N | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 65mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0482 | $ 0.4820 |
| 100+ | $0.0394 | $ 3.9400 |
| 300+ | $0.0351 | $ 10.5300 |
| 3000+ | $0.0266 | $ 79.8000 |
| 6000+ | $0.0240 | $ 144.0000 |
| 9000+ | $0.0227 | $ 204.3000 |
