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FUXINSEMI BSS123
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BSS123 |
| Référence EBEE | E8784617 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 100V 200mA 3Ω@10V,2mA 350mW 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.0158 | $ 0.7900 |
| 500+ | $0.0124 | $ 6.2000 |
| 3000+ | $0.0106 | $ 31.8000 |
| 6000+ | $0.0095 | $ 57.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI BSS123 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 3Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 15pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.8nC@10V |
Guide d’achat
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| 6000+ | $0.0095 | $ 57.0000 |
| 24000+ | $0.0086 | $ 206.4000 |
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