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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AO3407A |
| Référence EBEE | E87436553 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 4.1A 60mΩ@-10V,-4.1A 1.3W 3V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0313 | $ 0.6260 |
| 200+ | $0.0249 | $ 4.9800 |
| 600+ | $0.0214 | $ 12.8400 |
| 3000+ | $0.0169 | $ 50.7000 |
| 9000+ | $0.0150 | $ 135.0000 |
| 21000+ | $0.0140 | $ 294.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI AO3407A | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 60mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 74pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.8nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0313 | $ 0.6260 |
| 200+ | $0.0249 | $ 4.9800 |
| 600+ | $0.0214 | $ 12.8400 |
| 3000+ | $0.0169 | $ 50.7000 |
| 9000+ | $0.0150 | $ 135.0000 |
| 21000+ | $0.0140 | $ 294.0000 |
