| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N7002KD |
| Référence EBEE | E8880912 |
| Boîtier | SOT-363 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 340mA 900mΩ@10V,500mA 150mW 2.5V@250uA 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0365 | $ 0.7300 |
| 200+ | $0.0293 | $ 5.8600 |
| 600+ | $0.0253 | $ 15.1800 |
| 3000+ | $0.0190 | $ 57.0000 |
| 9000+ | $0.0169 | $ 152.1000 |
| 21000+ | $0.0158 | $ 331.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI 2N7002KD | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 5.3Ω@4.5V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 10pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 340mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0365 | $ 0.7300 |
| 200+ | $0.0293 | $ 5.8600 |
| 600+ | $0.0253 | $ 15.1800 |
| 3000+ | $0.0190 | $ 57.0000 |
| 9000+ | $0.0169 | $ 152.1000 |
| 21000+ | $0.0158 | $ 331.8000 |
