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Existar E100N4P0HL1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | E100N4P0HL1 |
| Référence EBEE | E829781176 |
| Boîtier | PDFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 83A 52W 4mΩ@10V,20A 2.5V@250uA 1 N-channel PDFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | Existar E100N4P0HL1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 4mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 34.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 83A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.841nF | |
| Gate Charge(Qg) | 74.2nC@10V |
Guide d’achat
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