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EVVO EV-IRFR5410-T1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | EV-IRFR5410-T1 |
| Référence EBEE | E841433128 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 13A 31.3W 115mΩ@4.5V,5A 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2835 | $ 1.4175 |
| 50+ | $0.2301 | $ 11.5050 |
| 150+ | $0.2072 | $ 31.0800 |
| 500+ | $0.1786 | $ 89.3000 |
| 2500+ | $0.1658 | $ 414.5000 |
| 5000+ | $0.1582 | $ 791.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | EVVO EV-IRFR5410-T1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 13A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 115mΩ@4.5V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 31.3W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 50pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.08nF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
Guide d’achat
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| 50+ | $0.2301 | $ 11.5050 |
| 150+ | $0.2072 | $ 31.0800 |
| 500+ | $0.1786 | $ 89.3000 |
| 2500+ | $0.1658 | $ 414.5000 |
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