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EVVO EV-IRFR5305-T1


Fabricant
Référence Fabricant
EV-IRFR5305-T1
Référence EBEE
E841433129
Boîtier
TO-252
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
60V 30A 55mΩ@4.5V 60W 1.1V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
5+$0.3151$ 1.5755
50+$0.2556$ 12.7800
150+$0.2302$ 34.5300
500+$0.1985$ 99.2500
2500+$0.1843$ 460.7500
5000+$0.1758$ 879.0000
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueEVVO EV-IRFR5305-T1
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+175℃
Type1 Piece P-Channel
Tension de source de égout (Vdss)60V
Courant de drainage continu (Id)30A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)55mΩ@4.5V
Dissipation de puissance (Pd)60W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)1.1V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)205pF@30V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)3060pF@30V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)48nC@10V

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