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EVVO EV-IRFR120N-T1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | EV-IRFR120N-T1 |
| Référence EBEE | E841433131 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 9.4A 210mΩ@10V,5.6A 1.5W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1764 | $ 0.8820 |
| 50+ | $0.1432 | $ 7.1600 |
| 150+ | $0.1289 | $ 19.3350 |
| 500+ | $0.1112 | $ 55.6000 |
| 2500+ | $0.1033 | $ 258.2500 |
| 5000+ | $0.0984 | $ 492.0000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | EVVO EV-IRFR120N-T1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 9.4A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 210mΩ@10V,5.6A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.5W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 54pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 330pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 25nC |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1764 | $ 0.8820 |
| 50+ | $0.1432 | $ 7.1600 |
| 150+ | $0.1289 | $ 19.3350 |
| 500+ | $0.1112 | $ 55.6000 |
| 2500+ | $0.1033 | $ 258.2500 |
| 5000+ | $0.0984 | $ 492.0000 |
