| Fabricant | |
| Référence Fabricant | EV-IRFR1205-T1 |
| Référence EBEE | E841433132 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 55V 44A 27mΩ@10V,26A 107W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2521 | $ 1.2605 |
| 50+ | $0.2046 | $ 10.2300 |
| 150+ | $0.1842 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.1588 | $ 79.4000 |
| 2500+ | $0.1474 | $ 368.5000 |
| 5000+ | $0.1406 | $ 703.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | EVVO EV-IRFR1205-T1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 55V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 44A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 27mΩ@10V,26A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 107W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 150pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.3nF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 65nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2521 | $ 1.2605 |
| 50+ | $0.2046 | $ 10.2300 |
| 150+ | $0.1842 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.1588 | $ 79.4000 |
| 2500+ | $0.1474 | $ 368.5000 |
| 5000+ | $0.1406 | $ 703.0000 |
