| Fabricant | |
| Référence Fabricant | EV-IRFR024N-T1 |
| Référence EBEE | E841433133 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 55V 17A 75mΩ@10V,10A 45W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1536 | $ 0.7680 |
| 50+ | $0.1255 | $ 6.2750 |
| 150+ | $0.1113 | $ 16.6950 |
| 500+ | $0.1006 | $ 50.3000 |
| 2500+ | $0.0922 | $ 230.5000 |
| 5000+ | $0.0880 | $ 440.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | EVVO EV-IRFR024N-T1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 55V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 17A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 75mΩ@10V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 45W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 65pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 370pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 20nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1536 | $ 0.7680 |
| 50+ | $0.1255 | $ 6.2750 |
| 150+ | $0.1113 | $ 16.6950 |
| 500+ | $0.1006 | $ 50.3000 |
| 2500+ | $0.0922 | $ 230.5000 |
| 5000+ | $0.0880 | $ 440.0000 |
