| Fabricant | |
| Référence Fabricant | EV-IRFB4110-T3 |
| Référence EBEE | E841433137 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 120A 370W 3.7mΩ@10V,75A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7185 | $ 0.7185 |
| 10+ | $0.5955 | $ 5.9550 |
| 50+ | $0.5339 | $ 26.6950 |
| 100+ | $0.4743 | $ 47.4300 |
| 500+ | $0.4380 | $ 219.0000 |
| 1000+ | $0.4181 | $ 418.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | EVVO EV-IRFB4110-T3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 120A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.7mΩ@10V,75A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 370W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 250pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 9620pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 210nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7185 | $ 0.7185 |
| 10+ | $0.5955 | $ 5.9550 |
| 50+ | $0.5339 | $ 26.6950 |
| 100+ | $0.4743 | $ 47.4300 |
| 500+ | $0.4380 | $ 219.0000 |
| 1000+ | $0.4181 | $ 418.1000 |
