Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

EVVO EV-IRFB4110-T3


Fabricant
Référence Fabricant
EV-IRFB4110-T3
Référence EBEE
E841433137
Boîtier
TO-220
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
100V 120A 370W 3.7mΩ@10V,75A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>
930 En stock pour livraison rapide
930 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$0.7185$ 0.7185
10+$0.5955$ 5.9550
50+$0.5339$ 26.6950
100+$0.4743$ 47.4300
500+$0.4380$ 219.0000
1000+$0.4181$ 418.1000
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueEVVO EV-IRFB4110-T3
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+175℃
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)100V
Courant de drainage continu (Id)120A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)3.7mΩ@10V,75A
Dissipation de puissance (Pd)370W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)4V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)250pF
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)9620pF
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)210nC

Guide d’achat

Développer