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EVVO EV-IRF530N-T3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | EV-IRF530N-T3 |
| Référence EBEE | E841433139 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 18A 59W 112mΩ@10V,10A 1V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 5+ | $0.3465 | $ 1.7325 |
| 50+ | $0.2812 | $ 14.0600 |
| 150+ | $0.2532 | $ 37.9800 |
| 500+ | $0.2183 | $ 109.1500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | EVVO EV-IRF530N-T3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 18A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 112mΩ@10V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 59W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 37pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.535nF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 26.2nC@10V |
Guide d’achat
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| 50+ | $0.2812 | $ 14.0600 |
| 150+ | $0.2532 | $ 37.9800 |
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