| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DOZ35N06 |
| Référence EBEE | E836499167 |
| Boîtier | DFN-8(3x3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 35A 15mΩ@10V,30A 41W 2.5V@250uA 1 N-Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1052 | $ 0.5260 |
| 50+ | $0.0858 | $ 4.2900 |
| 150+ | $0.0761 | $ 11.4150 |
| 500+ | $0.0689 | $ 34.4500 |
| 2500+ | $0.0631 | $ 157.7500 |
| 5000+ | $0.0601 | $ 300.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | DOINGTER DOZ35N06 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 35A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 15mΩ@10V,30A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 41W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 123pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.98nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 48nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1052 | $ 0.5260 |
| 50+ | $0.0858 | $ 4.2900 |
| 150+ | $0.0761 | $ 11.4150 |
| 500+ | $0.0689 | $ 34.4500 |
| 2500+ | $0.0631 | $ 157.7500 |
| 5000+ | $0.0601 | $ 300.5000 |
