| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DOZ100N03 |
| Référence EBEE | E841384262 |
| Boîtier | DFN-8(3x3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 100A 3mΩ@10V,30A 31.7W 2.5V@250μA 1 N-Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1470 | $ 0.7350 |
| 50+ | $0.1199 | $ 5.9950 |
| 150+ | $0.1064 | $ 15.9600 |
| 500+ | $0.0963 | $ 48.1500 |
| 2500+ | $0.0881 | $ 220.2500 |
| 5000+ | $0.0841 | $ 420.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | DOINGTER DOZ100N03 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 100A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3mΩ@10V,30A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 31.7W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250μA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 430pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3499pF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 69nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1470 | $ 0.7350 |
| 50+ | $0.1199 | $ 5.9950 |
| 150+ | $0.1064 | $ 15.9600 |
| 500+ | $0.0963 | $ 48.1500 |
| 2500+ | $0.0881 | $ 220.2500 |
| 5000+ | $0.0841 | $ 420.5000 |
