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DOINGTER DOS11DN02
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DOS11DN02 |
| Référence EBEE | E842386224 |
| Boîtier | SOP-8D |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | SOP-8D MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0661 | $ 0.6610 |
| 100+ | $0.0522 | $ 5.2200 |
| 300+ | $0.0453 | $ 13.5900 |
| 3000+ | $0.0401 | $ 120.3000 |
| 6000+ | $0.0360 | $ 216.0000 |
| 9000+ | $0.0339 | $ 305.1000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | DOINGTER DOS11DN02 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 10mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 155pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.45nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 230pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 10+ | $0.0661 | $ 0.6610 |
| 100+ | $0.0522 | $ 5.2200 |
| 300+ | $0.0453 | $ 13.5900 |
| 3000+ | $0.0401 | $ 120.3000 |
| 6000+ | $0.0360 | $ 216.0000 |
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