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DOINGTER DOD639B


Fabricant
Référence Fabricant
DOD639B
Référence EBEE
E842412129
Boîtier
TO-252-4
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
TO-252-4 MOSFETs ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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2435 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
5+$0.2581$ 1.2905
50+$0.2026$ 10.1300
150+$0.1789$ 26.8350
500+$0.1493$ 74.6500
2500+$0.1361$ 340.2500
5000+$0.1282$ 641.0000
Meilleur prix pour plus de quantité ?
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Fiche TechniqueDOINGTER DOD639B
RoHS
TypeN-Channel + P-Channel
Configuration-
RDS (on)4.2mΩ@10V;10.2mΩ@10V
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)148pF;225pF
Number1 N-Channel + 1 P-Channel
Pd - Power Dissipation55W
Drain to Source Voltage40V;40V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.6V;2.5V
Current - Continuous Drain(Id)60A;38A
Ciss-Input Capacitance2.38nF;3.119nF
Output Capacitance(Coss)230pF;237pF
Gate Charge(Qg)[email protected];41nC@10V

Guide d’achat

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