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DOINGTER DOD617S
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DOD617S |
| Référence EBEE | E842412125 |
| Boîtier | TO-252-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1193 | $ 0.5965 |
| 50+ | $0.0943 | $ 4.7150 |
| 150+ | $0.0818 | $ 12.2700 |
| 500+ | $0.0725 | $ 36.2500 |
| 2500+ | $0.0650 | $ 162.5000 |
| 5000+ | $0.0612 | $ 306.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | DOINGTER DOD617S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 7.5mΩ@10V;19mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 95pF;130pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 22W;23W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V;1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A;22A | |
| Ciss-Input Capacitance | 890pF;1.05nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 119pF;140pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected];50nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.0943 | $ 4.7150 |
| 150+ | $0.0818 | $ 12.2700 |
| 500+ | $0.0725 | $ 36.2500 |
| 2500+ | $0.0650 | $ 162.5000 |
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