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DOINGTER DOD609D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DOD609D |
| Référence EBEE | E842412126 |
| Boîtier | TO-252-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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2360 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1131 | $ 0.5655 |
| 50+ | $0.0894 | $ 4.4700 |
| 150+ | $0.0776 | $ 11.6400 |
| 500+ | $0.0687 | $ 34.3500 |
| 2500+ | $0.0616 | $ 154.0000 |
| 5000+ | $0.0580 | $ 290.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | DOINGTER DOD609D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 17mΩ@10V;40mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 55pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W;20W | |
| Drain to Source Voltage | 40V;40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A;12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 620pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@8V |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.0894 | $ 4.4700 |
| 150+ | $0.0776 | $ 11.6400 |
| 500+ | $0.0687 | $ 34.3500 |
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