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DOINGTER DOD6050
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DOD6050 |
| Référence EBEE | E841430592 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 50A 15mΩ@10V,30A 75W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1033 | $ 0.5165 |
| 50+ | $0.0821 | $ 4.1050 |
| 150+ | $0.0716 | $ 10.7400 |
| 500+ | $0.0637 | $ 31.8500 |
| 2500+ | $0.0560 | $ 140.0000 |
| 5000+ | $0.0528 | $ 264.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | DOINGTER DOD6050 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 15mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.928nF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 5+ | $0.1033 | $ 0.5165 |
| 50+ | $0.0821 | $ 4.1050 |
| 150+ | $0.0716 | $ 10.7400 |
| 500+ | $0.0637 | $ 31.8500 |
| 2500+ | $0.0560 | $ 140.0000 |
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