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DOINGTER DOD603


Fabricant
Référence Fabricant
DOD603
Référence EBEE
E842412130
Boîtier
TO-252-4
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
TO-252-4 MOSFETs ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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65 En stock pour livraison rapide
65 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
5+$0.1554$ 0.7770
50+$0.1220$ 6.1000
150+$0.1077$ 16.1550
500+$0.0899$ 44.9500
2500+$0.0819$ 204.7500
5000+$0.0772$ 386.0000
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Fiche TechniqueDOINGTER DOD603
RoHS
TypeN-Channel + P-Channel
Configuration-
RDS (on)26mΩ@10V;80mΩ@10V
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)45pF;75pF
Number1 N-Channel + 1 P-Channel
Pd - Power Dissipation23W;23W
Drain to Source Voltage60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.6V;1.5V
Current - Continuous Drain(Id)16A;18A
Ciss-Input Capacitance1.1nF;1.6nF
Output Capacitance(Coss)52pF;90pF
Gate Charge(Qg)20.3nC@10V;37.6nC@10V

Guide d’achat

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