| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DOD50N03 |
| Référence EBEE | E836499176 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 55A 10mΩ@10V,30A 37.5W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0733 | $ 0.7330 |
| 100+ | $0.0598 | $ 5.9800 |
| 300+ | $0.0531 | $ 15.9300 |
| 2500+ | $0.0481 | $ 120.2500 |
| 5000+ | $0.0439 | $ 219.5000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | DOINGTER DOD50N03 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 55A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 10mΩ@10V,30A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 37.5W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 109pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 940pF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0733 | $ 0.7330 |
| 100+ | $0.0598 | $ 5.9800 |
| 300+ | $0.0531 | $ 15.9300 |
| 2500+ | $0.0481 | $ 120.2500 |
| 5000+ | $0.0439 | $ 219.5000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
