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DOINGTER DOD50N03


Fabricant
Référence Fabricant
DOD50N03
Référence EBEE
E836499176
Boîtier
TO-252
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
30V 55A 10mΩ@10V,30A 37.5W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
10+$0.0733$ 0.7330
100+$0.0598$ 5.9800
300+$0.0531$ 15.9300
2500+$0.0481$ 120.2500
5000+$0.0439$ 219.5000
10000+$0.0420$ 420.0000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueDOINGTER DOD50N03
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+175℃@(Tj)
Type1 N-Channel
Tension de source de égout (Vdss)30V
Courant de drainage continu (Id)55A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)10mΩ@10V,30A
Dissipation de puissance (Pd)37.5W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)2.5V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)109pF@15V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)940pF@15V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)[email protected]

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