| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DOD30N06 |
| Référence EBEE | E836499179 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 30A 30mΩ@10V,15A 55W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0758 | $ 0.3790 |
| 50+ | $0.0627 | $ 3.1350 |
| 150+ | $0.0561 | $ 8.4150 |
| 500+ | $0.0512 | $ 25.6000 |
| 2500+ | $0.0473 | $ 118.2500 |
| 5000+ | $0.0453 | $ 226.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | DOINGTER DOD30N06 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 30A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 30mΩ@10V,15A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 55W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 45pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.05nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 25nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0758 | $ 0.3790 |
| 50+ | $0.0627 | $ 3.1350 |
| 150+ | $0.0561 | $ 8.4150 |
| 500+ | $0.0512 | $ 25.6000 |
| 2500+ | $0.0473 | $ 118.2500 |
| 5000+ | $0.0453 | $ 226.5000 |
