| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DOD20N06 |
| Référence EBEE | E836499181 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 20A 36mΩ@10V,10A 31W 3V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0742 | $ 0.7420 |
| 100+ | $0.0603 | $ 6.0300 |
| 300+ | $0.0534 | $ 16.0200 |
| 2500+ | $0.0482 | $ 120.5000 |
| 5000+ | $0.0440 | $ 220.0000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | DOINGTER DOD20N06 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 20A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 36mΩ@10V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 31W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 45.3pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.15nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 20.3nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0742 | $ 0.7420 |
| 100+ | $0.0603 | $ 6.0300 |
| 300+ | $0.0534 | $ 16.0200 |
| 2500+ | $0.0482 | $ 120.5000 |
| 5000+ | $0.0440 | $ 220.0000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
