| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DO5N10BA |
| Référence EBEE | E841367401 |
| Boîtier | SOT-23-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 5A 3.5W 120mΩ@10V,2A 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0375 | $ 0.7500 |
| 200+ | $0.0292 | $ 5.8400 |
| 600+ | $0.0246 | $ 14.7600 |
| 3000+ | $0.0218 | $ 65.4000 |
| 9000+ | $0.0195 | $ 175.5000 |
| 21000+ | $0.0182 | $ 382.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | DOINGTER DO5N10BA | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 130mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 31pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 840pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 45pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0375 | $ 0.7500 |
| 200+ | $0.0292 | $ 5.8400 |
| 600+ | $0.0246 | $ 14.7600 |
| 3000+ | $0.0218 | $ 65.4000 |
| 9000+ | $0.0195 | $ 175.5000 |
| 21000+ | $0.0182 | $ 382.2000 |
