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DOINGTER DO2310D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DO2310D |
| Référence EBEE | E841367407 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 3A 1.5W 100mΩ@10V,3A 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0192 | $ 0.9600 |
| 500+ | $0.0150 | $ 7.5000 |
| 3000+ | $0.0126 | $ 37.8000 |
| 6000+ | $0.0112 | $ 67.2000 |
| 24000+ | $0.0100 | $ 240.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | DOINGTER DO2310D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 100mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 325pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.1nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0192 | $ 0.9600 |
| 500+ | $0.0150 | $ 7.5000 |
| 3000+ | $0.0126 | $ 37.8000 |
| 6000+ | $0.0112 | $ 67.2000 |
| 24000+ | $0.0100 | $ 240.0000 |
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