| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DO2301E-Q |
| Référence EBEE | E841384537 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 2A 125mΩ@4.5V,2A 800mW 1V@250μA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0076 | $ 0.7600 |
| 1000+ | $0.0061 | $ 6.1000 |
| 3000+ | $0.0053 | $ 15.9000 |
| 9000+ | $0.0047 | $ 42.3000 |
| 51000+ | $0.0044 | $ 224.4000 |
| 99000+ | $0.0041 | $ 405.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | DOINGTER DO2301E-Q | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 2A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 125mΩ@4.5V,2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@250μA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 24pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 150pF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0076 | $ 0.7600 |
| 1000+ | $0.0061 | $ 6.1000 |
| 3000+ | $0.0053 | $ 15.9000 |
| 9000+ | $0.0047 | $ 42.3000 |
| 51000+ | $0.0044 | $ 224.4000 |
| 99000+ | $0.0041 | $ 405.9000 |
