| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DIT050N06 |
| Référence EBEE | E86183536 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 50A 85W 20mΩ@10V,20A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5226 | $ 0.5226 |
| 200+ | $0.2085 | $ 41.7000 |
| 500+ | $0.2016 | $ 100.8000 |
| 1000+ | $0.1981 | $ 198.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | DIOTEC DIT050N06 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 50A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 20mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 85W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 120pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.05nF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 50nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5226 | $ 0.5226 |
| 200+ | $0.2085 | $ 41.7000 |
| 500+ | $0.2016 | $ 100.8000 |
| 1000+ | $0.1981 | $ 198.1000 |
