| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DI100N04D1-AQ |
| Référence EBEE | E87264426 |
| Boîtier | D-PAK(TO-252AA) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 100A 4mΩ@10V,30A 83.3W 2.5V@250uA 1 N-channel D-PAK(TO-252AA) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0478 | $ 1.0478 |
| 200+ | $0.4180 | $ 83.6000 |
| 500+ | $0.4053 | $ 202.6500 |
| 1000+ | $0.3980 | $ 398.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | (DIOTEC) DI100N04D1-AQ | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 40V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 100A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4mΩ@10V,30A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 83.3W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 404pF@20V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 7000pF@20V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 143nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0478 | $ 1.0478 |
| 200+ | $0.4180 | $ 83.6000 |
| 500+ | $0.4053 | $ 202.6500 |
| 1000+ | $0.3980 | $ 398.0000 |
