| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DI080N06PQ-AQ |
| Référence EBEE | E87171666 |
| Boîtier | QFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 65V 105A 2.4mΩ@10V,30A 65.8W 2.5V@250uA 1 N-channel QFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3855 | $ 1.3855 |
| 200+ | $0.5532 | $ 110.6400 |
| 500+ | $0.5349 | $ 267.4500 |
| 1000+ | $0.5258 | $ 525.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | (DIOTEC) DI080N06PQ-AQ | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 65V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 105A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.4mΩ@10V,30A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 65.8W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 34pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4128pF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 78.5nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3855 | $ 1.3855 |
| 200+ | $0.5532 | $ 110.6400 |
| 500+ | $0.5349 | $ 267.4500 |
| 1000+ | $0.5258 | $ 525.8000 |
