| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DI035N10PT |
| Référence EBEE | E87171661 |
| Boîtier | QFN-8(3x3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 25W 18mΩ 2.5V@250uA 1 N-channel QFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4179 | $ 0.4179 |
| 200+ | $0.1668 | $ 33.3600 |
| 500+ | $0.1612 | $ 80.6000 |
| 1000+ | $0.1585 | $ 158.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | (DIOTEC) DI035N10PT | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | - | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 18mΩ | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 25W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 195pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.22nF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 22nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4179 | $ 0.4179 |
| 200+ | $0.1668 | $ 33.3600 |
| 500+ | $0.1612 | $ 80.6000 |
| 1000+ | $0.1585 | $ 158.5000 |
