| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DI008N09SQ |
| Référence EBEE | E86601686 |
| Boîtier | SO-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 90V 8A 75mΩ@10V,5A 2W 2.5V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4804 | $ 0.4804 |
| 200+ | $0.1917 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.1853 | $ 92.6500 |
| 1000+ | $0.1822 | $ 182.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | (DIOTEC) DI008N09SQ | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 90V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 75mΩ@10V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 40pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.1nF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 12nC@10V |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4804 | $ 0.4804 |
| 200+ | $0.1917 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.1853 | $ 92.6500 |
| 1000+ | $0.1822 | $ 182.2000 |
