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Diodes Incorporated DMTH8003SPS-13
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DMTH8003SPS-13 |
| Référence EBEE | E8434455 |
| Boîtier | PowerDI5060-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 100A 2.9W 3.9mΩ@10V,30A 4V@250uA 1 N-Channel PowerDI5060-8 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3287 | $ 1.3287 |
| 10+ | $1.1739 | $ 11.7390 |
| 30+ | $1.0894 | $ 32.6820 |
| 100+ | $0.9921 | $ 99.2100 |
| 500+ | $0.9507 | $ 475.3500 |
| 1000+ | $0.9315 | $ 931.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Diodes Incorporated DMTH8003SPS-13 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 3.9mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.9W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 8.952nF | |
| Gate Charge(Qg) | 124.3nC@10V |
Guide d’achat
Développer
1808 Stock for Shipping Fast
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|---|---|---|
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| 10+ | $1.1739 | $ 11.7390 |
| 30+ | $1.0894 | $ 32.6820 |
| 100+ | $0.9921 | $ 99.2100 |
| 500+ | $0.9507 | $ 475.3500 |
| 1000+ | $0.9315 | $ 931.5000 |
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