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Diodes Incorporated DMN63D8LW-13
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DMN63D8LW-13 |
| Référence EBEE | E8212323 |
| Boîtier | SOT-323 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 380mA 300mW 2.8Ω@10V,250mA 1.5V@250uA 1 N-Channel SOT-323 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0375 | $ 0.7500 |
| 200+ | $0.0299 | $ 5.9800 |
| 600+ | $0.0256 | $ 15.3600 |
| 2000+ | $0.0231 | $ 46.2000 |
| 10000+ | $0.0195 | $ 195.0000 |
| 20000+ | $0.0183 | $ 366.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Diodes Incorporated DMN63D8LW-13 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 3.8Ω@5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 420mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 380mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 23.2pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 3pF | |
| Gate Charge(Qg) | 900pC@10V |
Guide d’achat
Développer
1760 Stock for Shipping Fast
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0375 | $ 0.7500 |
| 200+ | $0.0299 | $ 5.9800 |
| 600+ | $0.0256 | $ 15.3600 |
| 2000+ | $0.0231 | $ 46.2000 |
| 10000+ | $0.0195 | $ 195.0000 |
| 20000+ | $0.0183 | $ 366.0000 |
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