| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CRSM038N10N4 |
| Référence EBEE | E82988619 |
| Boîtier | DFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 100A 139W 3mΩ@10V,50A 3V@250uA 1 N-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5526 | $ 0.5526 |
| 10+ | $0.4716 | $ 4.7160 |
| 30+ | $0.4160 | $ 12.4800 |
| 100+ | $0.3684 | $ 36.8400 |
| 500+ | $0.3255 | $ 162.7500 |
| 1000+ | $0.3160 | $ 316.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | CRMICRO CRSM038N10N4 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 3.6mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 80pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 139W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.743nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.025nF | |
| Gate Charge(Qg) | 74.4nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5526 | $ 0.5526 |
| 10+ | $0.4716 | $ 4.7160 |
| 30+ | $0.4160 | $ 12.4800 |
| 100+ | $0.3684 | $ 36.8400 |
| 500+ | $0.3255 | $ 162.7500 |
| 1000+ | $0.3160 | $ 316.0000 |
