| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CDM22010-650 SL |
| Référence EBEE | E87100756 |
| Boîtier | TO-220-3 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 10A 1Ω@10V,5A 4V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2979 | $ 1.2979 |
| 200+ | $0.5184 | $ 103.6800 |
| 500+ | $0.5003 | $ 250.1500 |
| 1000+ | $0.4929 | $ 492.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1Ω@10V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2W;156W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.168nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 20nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2979 | $ 1.2979 |
| 200+ | $0.5184 | $ 103.6800 |
| 500+ | $0.5003 | $ 250.1500 |
| 1000+ | $0.4929 | $ 492.9000 |
