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Central Semicon CDM22010-650 SL


Fabricant
Référence Fabricant
CDM22010-650 SL
Référence EBEE
E87100756
Boîtier
TO-220-3
Numéro Client
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
650V 10A 1Ω@10V,5A 4V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$1.2979$ 1.2979
200+$0.5184$ 103.6800
500+$0.5003$ 250.1500
1000+$0.4929$ 492.9000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃@(Tj)
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)650V
Courant de drainage continu (Id)10A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)1Ω@10V,5A
Dissipation de puissance (Pd)2W;156W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)4V@250uA
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)1.168nF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)20nC@10V

Guide d’achat

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