| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MSD60P16 |
| Référence EBEE | E822465587 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 16A 48mΩ@10V,8A 25W 1V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7504 | $ 0.7504 |
| 10+ | $0.6217 | $ 6.2170 |
| 30+ | $0.5583 | $ 16.7490 |
| 100+ | $0.4948 | $ 49.4800 |
| 500+ | $0.4568 | $ 228.4000 |
| 1000+ | $0.4369 | $ 436.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Bruckewell MSD60P16 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 16A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 48mΩ@10V,8A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 25W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 59pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.256nF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 22nC@30V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7504 | $ 0.7504 |
| 10+ | $0.6217 | $ 6.2170 |
| 30+ | $0.5583 | $ 16.7490 |
| 100+ | $0.4948 | $ 49.4800 |
| 500+ | $0.4568 | $ 228.4000 |
| 1000+ | $0.4369 | $ 436.9000 |
