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BOURNS BIDW50N65T
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BIDW50N65T |
| Référence EBEE | E817512645 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 416W 100A 650V FS(Field Stop) TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1275 | $ 5.1275 |
| 210+ | $2.0463 | $ 429.7230 |
| 510+ | $1.9787 | $ 1009.1370 |
| 990+ | $1.9441 | $ 1924.6590 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | FS(Field Stop) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 100A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 416W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 125ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 37ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2.2V@15V,50A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 123nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 37.5ns | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | 1.1mJ | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | 3mJ |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1275 | $ 5.1275 |
| 210+ | $2.0463 | $ 429.7230 |
| 510+ | $1.9787 | $ 1009.1370 |
| 990+ | $1.9441 | $ 1924.6590 |
